อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เบอร์อะไหล่ต่างๆ เบอร์อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

เบอร์ ไดโอด ซีเนอร์ไดโอด ทรานซิสเตอร์ มอสเฟต ไอจีบีที เอสซีอาร์ ไตรแอค เบอร์อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เหล่านี้ ใช้เพื่อเรียนรู้เบอร์อะไหล่อิเล็กฯ ว่ามันขึ้นต้นด้วยอักษรอะไร ลักษณะเบอร์ของอุปกรณ์แต่ละชนิดเป็นอย่างไร ใช้ประกอบงานซ่อม โดยแยกตามชนิดอะไหล่ ให้ไล่ดูเบอร์อะไหล่ต่างๆในเว็ปนี้

เบอร์ทรานซิสเตอร์ที่ใช้กับวงจรขยายเสียง Transistor for Audio power Amplifier

Transistor for Audio power Amplifier

รวมเบอร์ทรานซิสเตอร์ที่ใช้กับวงจรขยายเสียงทรานซิสเตอร์ ( Audio amplifier Transistor ) เป็นทรานซิสเตอร์ตัวใหญ่มี 3 ขา และเป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์คู่แมทใช้ขยายสัญญาณย่านความถี่เสียง ตัวถังเป็นแบบ TO-3 หรือจานบิน ( เคสโลหะ) และเป็นเคส TO-220 (เคสพลาสติกสีดำ) หรือลักษณะที่คล้ายกัน แสดงวัตต์ กระแส และแรงดันของทรานซิสเตอร์ให้เปรียบเทียบ

Transistor part nubmer Audio power Amplifier

เบอร์ ทรานซิสเตอร์ใช้กับวงจรขยายเสียง ( Audio amplifier Transistor )

1) BD911 complementary to BD912

BD911 NPN 15A 100V 90W TO-220

BD912 PNP 15A 100V 90W TO-220

2) 2N3055 complementary to MJ2955

2N3055 NPN 15A 60V 115W TO-3 ทรานซิสเตอร์จานบิน

MJ2955 PNP 15A 60V 115W TO-3 ทรานซิสเตอร์จานบิน

3) 2N3773 NPN 16 A 140V 150W Audio Amplifier Output ทรานซิสเตอร์จานบิน

4) 2N6609 NPN 16A 140V 150W TO-3 ทรานซิสเตอร์จานบิน Hihg Power Audio

5) MJ15003 complementary to MJ15004

MJ15003 NPN 20A 140V 250W Power Bass Power Transistor for High Power Audio TO-3 ทรานซิสเตอร์จานบิน

MJ15004 PNP 20A 140V 250W Power Bass Power Transistor for High Power Audio TO-3 ทรานซิสเตอร์จานบิน

6) TIP35C complementary to TIP36C

TIP35C NPN 25A 100V 125W power and Switching TO-218-3

TIP36C PNP 25A 100V 125W power amplifier and Switching TO-218-3

7) TIP3055 complementary to TIP2955

TIP3055 NPN 15A 60V 90W TO218AC

TIP2955 PNP 15A 60V 90W TO218AC

8) MJ15015 complementary to MJ15016

MJ15015 NPN 15A 120V 180W High power Audio TO-3 ทรานซิสเตอร์จานบิน

MJ15016 PNP 15A 120V 180W High power Audio TO-3 ทรานซิสเตอร์จานบิน

9) 2SK1058 complementary to 2SJ162

2SK1058 N channel MOSFET 7A 160V 100W TO-3P Low frequency power Amplifier , Audio power Amplifier.

2SJ162 P channel MOSFET 7A 160V 100W TO-3P Low frequency power Amplifier , Audio power Amplifier.

10) MJL15024 complementary to MJL15025

MJL15024 NPN 16A 250V 250W TO-3 High Power Audio ทรานซิสเตอร์จานบิน

MJL15025 PNP 16A 250V 250W TO-3 High Power Audio ทรานซิสเตอร์จานบิน

11) MJ15022 complementary to MJ15023

MJ15022 NPN 16A 200V 250W TO-3 High Power Audio ทรานซิสเตอร์จานบิน

MJ15023 PNP 16A 200V 250W TO-3 High Power Audio ทรานซิสเตอร์จานบิน

12) MJL21194 complementary to MJL21193

MJL21194 NPN 16A 250V 200W TO-264 high power audio output

MJL21193 PNP 16A 250V 200W TO-264 high power audio output

13) MJW3281A complementary to MJW1302A

MJW3281A NPN 15A 230V 200W TO−247 High power Audio

MJW1302A PNP 15A 230V 200W TO−247 High power Audio

14) 2SC5200 complementary to 2SA1943

2SC5200 NPN 15A 230V 100W High Fidelity Audio Amplifier output

2SA1943 PNP 15A 230V 100W High Fidelity Audio Amplifier output TO-3PL

15) TTC5200 complementary to TTA1943

TTC5200 NPN 15A 230V 100W TO-3PL High Fidelity Audio Amplifier output

TTA1943 PNP 15A 230V 100W TO-3PL High Fidelity Audio Amplifier output

16) TIP3055 complementary to TIP2955

TIP3055 NPN 15A 60V 90W TO-247 Audio Amplifier

TIP2955 PNP 15A 60V 90W TO-247 Audio Amplifier

17) BD139 complementary to BD140

BD139 NPN 1.5A 80V 1.25W TO-126 Medium Power audio amplifiers and drivers

BD140 PNP 1.5A 80V 1.25W TO-126 Medium Power audio amplifiers and drivers

18) BD135 complementary to BD136

BD135 NPN 1.5A 45V 1.25 W TO-126 Meduim Power audio amplifiers and drivers

BD136 PNP 1.5A 45V 1.25 W TO-126 Meduim Power audio amplifiers and drivers

19) BD137 complementary to BD138

BD137 NPN 1.5A 60V 1.25 W TO-126 Meduim Power audio amplifiers and drivers

BD138 PNP 1.5A 60V 1.25 W TO-126 Meduim Power audio amplifiers and drivers

20) KSD882 complement to KSB772YSTU

KSD882 NPN 3A 30V 1 W TO-126-3 Small Signal BJT , audio amplifier

KSB772YSTU PNP 3A 30V 1 W TO-126-3 Small Signal BJT , audio amplifier

20 เรื่องน่ารู้ การเทียบเบอร์ อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์

รวมไว้ที่นี้ > อ่านที่เว็บนี้

https://www.alternativeelecpn.com

เรียนรู้ เบอร์ อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์

เพื่อสังเกตว่าเบอร์ขึ้นต้นแบบนี้เป็นอุปกรณ์ชนิดอะไร ?

โดยจัดเป็นหมวดหมู่ แบ่งเป็นหมวดหมู่ เช่น ไดโอด มี 17 เรื่องให้อ่าน เป็นต้น

เลือกอ่าน หัวข้อต่อไปนี้ ................

1) ไดโอด (17) มี 17 เรื่อง

2) บทความเกี่ยวกับอะไหล่อิเล็กฯ (3)

3) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ (30) มี 30 เรื่อง

การหาค่า c ที่ใช้แทนกันได้ การเลือกใช้คาปาซิเตอร์หรือตัวเก็บประจุแต่ละชนิดในการออกแบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์และงานซ่อม

การเลือกใช้คาปาซิเตอร์ และ C ที่ใช้แทนกันได้

การเลือกใช้คาปาซิเตอร์ ตัวเก็บประจุ Capacitor

การเลือกใช้คาปาซิเตอร์ต้องพิจารณาค่าอะไรบ้าง ? เราทราบแล้วว่าตัวเก็บประจุมีหลายชนิดแต่ละชนิดมีข้อดีข้อเสียไม่เหมือนกันดังนั้นตัวเก็บประจุ 1 ชนิดจึงไม่สามารถนำไปใช้ได้ทุกวงจร ในทางปฏิบัติแล้วประเภทของวงจรจะเป็นสิ่งที่กำหนดคุณสมบัติหรือเลือกชนิดของตัวเก็บประจุ ให้ทำเช็คลิสและทำเป็นตารางเช็คลิสเพื่อเลือกและกำหนดคุณสมบัติของ C ที่ต้องการ สิ่งที่ทำให้ตัวเก็บประจุเสียคือแรงดันไฟเกิน แรงดันเสิร์จ กระแสริบเปิ้ล กระแสพุ่ง ความร้อนภายในจากการสูญเสียที่เนื่องมาจากความต้านทาน ESR ( Equivalent Series Resistance ) และอุณหภูมิแวดล้อม ให้เช็คว่าวงจรมีสิ่งเหล่านี้ที่ทำให้คาปาซิเตอร์เสียเร็วหรือเร่งอายุการใช้งานของ C ให้สัั้นลงหรือไม่ ? ถ้ามีต้องหาทางป้องกันหรือลดความรุนแรงของปัจจัยเร่งให้เสื่อมเหล่านี้

-------------------------------------------------------------

เรียนรู้เบอร์อะไหล่อิเล็กฯ เพื่อสังเกตว่าเบอร์ขึ้นต้นแบบนี้เป็นอุปกรณ์ชนิดอะไร ?

เลือกหัวข้อต่อไปนี้ ................

1) ไดโอด (17) มี 17 เรื่อง

2) บทความเกี่ยวกับอะไหล่อิเล็กฯ (3)

3) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ (30) มี 30 เรื่อง

---------------------------------------------------------------

การเลือกใช้คาปาซิเตอร์ต้องพิจารณาค่าอะไรบ้าง ?

1) แรงดันไฟฟ้าที่ทนได้ ระบุค่าแรงดันไฟฟ้าของวงจรออกมา จากนั้นเลือกใช้ค่าแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า 1.5 - 2 เท่า เช่น แรงดันไฟของวงจรคือ 24VDC ต้องใช้คาปาซิเตอร์ที่ทนได้ 24VDC x 2 เท่า = 48VDC ค่าแรงดันมาตรฐานของ C คือ 50VDC ดังนั้นเลือกใช้ 50VDC แรงดันไฟฟ้าเป็นสาเหตุหลักหรือปัจจัยเร่งให้คาปาซิเตอร์เสื่อมอันเนื่องมาจาก Voltage Stress ต้องเลือกค่าโวลต์ให้สูงไว้เพื่อยืดอายุการใช้งานของ C และของอุปกรณ์โดยรวม สำหรับบางวงจรเพื่อลดต้นทุนการผลิตจะไม่เผื่อพิกัดทนแรงดันไว้เยอะอาจพิจารณาเลือกใช้คาปาซิเตอร์ 60-80% ของค่า Working Voltage ที่ระบุไว้ เช่น C ทนได้ 25VDC จะได้ 25VDCx60% = 15VDC เลือกใช้กับวงจรที่มีไฟ 12VDC 15VDC หรือ 9VDC ได้ สำหรับงานซ่อมการหาคาปาซิเตอร์มาแทนต้องเลือก C ที่มีค่าโวลต์เท่ากับของเก่าหรือค่ามากกว่าก็ได้ขึ้นอยู่กับอะไหล่ในสต๊อคที่มีให้เลือก

2) ค่าความจุ สำหรับการออกแบบวงจรค่าความจุนี้ได้มาจากการคำนวณ สำหรับงานซ่อมให้ใช้ค่าตามสเปค C ตัวเก่าเนื่องจากค่านี้เขาได้คำนวณไว้แล้วว่าเหมาะกับวงจรนั้นๆ

3) % คลาดเคลื่อน ค่า % คลาดเคลื่อนนี้ยิ่งน้อยยิ่งดี ให้พิจารณาเพิ่มว่าค่า ± % คลาดเคลื่อน ที่ยอมรับได้และไม่ทำให้วงจรทำงานผิดปกติคือค่ากี่ ± % และให้พิจารณาในระยะยาวด้วยเมื่อผ่านไป 2 ปี 3 ปี 5 ปี 10 ปี ค่าความจุของ C จะเปลี่ยนไปจากค่าเดิมมากน้อยแค่ไหน ค่าความจุที่เปลี่ยนไปยอมรับได้ที่ค่าเท่าไหร่ เราสามารถกำหนดได้ตั้งแต่ขั้นออกแบบวงจรซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของการกำหนดอายุการใช้งานของอุปกรณ์หรือวงจรโดยรวม

4) อุณหภูมิแวดล้อม อุณหภูมิเป็นอีกหนึ่งสาเหตุที่ทำให้ C เสื่อมค่า ค่าความจุลดและค่าความต้านทาน ESR จะมีค่าเพิ่มขึ้น ในการทดสอบและคำนวณอายุการใช้งานของ C ( Lifetime @ Temp , Endurance (h) ) ในสมการจะใช้อุณหภูมิเป็นตัวหนดอายุการใช้งาน ยกตัวอย่างการเลือกใช้งาน วงจรมีความร้อนและอยู่ใกล้ความร้อนสูงระดับ 50°C-60°C ควรเลือกใช้ C ทีทนได้ 105°C หรือ 125°C หรือ 155°C จะทำให้ C มีอายุการใช้งานที่นานขึ้น ( ไม่ควรใช้ C ทนได้ 85°C สำหรับงานที่มีความร้อนในระบบเพราะอายุใช้งานจะสั้น ) ตัวอย่างที่ 2 กรณีเป็นวงจรอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปมีความร้อนน้อยอุณหภูมิแค่ 30-40C อาจเลือกใช้ C ทนได้ 85°C ก็พอหรือถ้ามีงบประมาณและราคา C ไม่ต่างกันมากเลือกใช้ C ทนได้ 105°C ก็ดีเพื่อให้ใช้งานในวงจรได้นานๆ

C ในโลกความเป็นจริงจะมีค่า R และ ค่า L ก่อตัวมาด้วย อันเนื่องมาจากขาที่เป็นเส้นลวดและวัสดุที่เป็นโลหะ , R Leakage มาจากระแสรั่วไหลในไดอิเล็กทริก ค่าเหล่านี้จำกัดหรือมีผลต่อการใช้งานที่ความถี่สูง

5) ความถี่และการสูญเสีย วงจรอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปอาจไม่ต้องพิจารณาการสูญเสียสามารถใช้ C มาตรฐานได้เลย แต่ถ้าเป็นวงจรความถี่สูง วงจร RF วงจรที่ใช้ไฟจากแบตเตอรี่ในการทำงานต้องพิจารณาเรื่องการสูญเสีย ต้องเลือกใช้ C ที่มีคุณสมบัติ Low ESR ( Equivalent Series Resistance ) , Low Impedance , มีตัวประกอบคุณภาพสูงๆ ( High Q Factor ) โดย Q = Xc / ESR ค่า Q เป็นตัวบอกประสิทธิภาพของ C ว่าพลังงานที่เก็บได้กับพลังงานที่สูญเสียภายในอันเนื่องจากค่าตัวต้านทาน ESR มีค่ามากน้อยแค่ไหน ส่วนกลับของ Q เรียกว่า ตัวประกอบการสูญเสีย ( Dissipation Factor ) , DF = 1/Q ค่านี้ยิ่งน้อยยิ่งดี ใน Datasheet ของ C จะนิยมระบุค่าตัวประกอบการสูญเสีย Dissipation Factor ( DF) ว่า Tangent of loss angle (max.) หรือ tan δ

6) กระแสริบเปิ้ล ( Ripple Current ) กระแสริบเปิ้ลเป็นอีกหนึ่งสาเหตุที่ทำให้คาปาซิเตอร์ร้อนและเสียเร็วขึ้น กรณีไฟในวงจรเป็นไฟไม่เรียบต้องพิจารณาและคำนวณหาปริมาณกระแสริบเปิ้ลจากนั้นเลือกใช้ C ที่ทนกระแสริบเปิ้ลได้มากกว่าค่าที่คำนวณได้ ยกตัวอย่างจากการคำนวณมีกระแสริบเปิ้ล 2A ควรเลือกใช้ C ทีทนกระแสริบเปิ้ลได้ 3A ขึ้นไป ( เพราะค่า 3A นี้จะนำไปใช้งานจริงที่ค่าไม่เกิน 70% , 3x70% = 2.1A ) ค่ากระแสริบเปิ้ลของ C จะระบุไว้ใน Datasheet ตัวอย่างวิธีการคำนวณให้พิมพ์ค้น google ว่า ripple current capacitor calculator ตัวเก็บประจุที่ทนกระแสริบเปิ้ลได้สูงมีชนิดอะลูมินัมอิเล็กทรอไลต์คาปาซิเตอร์ ( Aluminum Electrolytic Capacitor ) ตัวเก็บประจุชนิดฟิล์ม ( Film Capacitor ) และ ตัวเก็บประจุเซรามิค MLCC's ( multilayer ceramic chip capacitor )

7) ชนิดของคาปาซิเตอร์ นอกจาก C มีขั้วกับไม่มีขั้วแล้วยังต้องพิจารณาเรื่องความเสถียรในระยะยาว อายุการใช้งานและการสูญเสีย ถ้าต้องการค่าความจุสูงๆและราคาไม่แพงด้วย ต้องใช้ Aluminum Electrolytic Capacitor มีให้เลือกใช้จำนวนมากหลายค่าความจุและหลายค่าพิกัดแรงดันไฟ C ชนิดนี้ทนได้ถึง 600VDC อุณหภูมิที่ทนมีให้เลือก 85°C 105°C 125 °C 150°C ถ้างานเน้นความเสถียรและอายุการใช้งานยาวนานให้พิจารณาตัวเก็บประจุชนิดฟิล์ม ชนิดแทนทาลัม และอิเล็กทรอไลต์คาปาซิเตอร์สเปค Long Life ข้อเสียของ C แทนทาลัมคือทนแรงดันเสิร์จไม่ได้อ่อนไหวต่อการเสียจากแรงดันเสิร์จ สำหรับงานที่เน้นความเสถียร C เซรามิคให้เลือกใช้ชนิด Class 1 ใน Datasheet จะระบุสเปคด้วยคำว่า COG / NPO วงจรทั่วไปอาจเลือกใช้ C เซรามิคเกรด Class 2 ได้ใน Datasheet จะระบุคำว่า X7R X5R Y5V ระบุเกรดว่าเป็น Class 2 ( C เซรามิคเกรด Class 2 ค่าความจุจะเปลี่ยนตามอายุการใช้งานและเสื่อมสภาพตามอุณหภูมิ เสถียรน้อยกว่า Class 1) ถ้างานที่มีกระแสริบเปิ้ลสูงมาเกี่ยวข้องให้พิจารณาเลือกใช้ อะลูมินัมอิเล็กทรอไลต์คาปาซิเตอร์ ตัวเก็บประจุชนิดฟิล์ม และ ตัวเก็บประจุเซรามิคชนิด MLCC's งานที่มีพื้นที่กำจัดให้พิจารณาใช้ C SMD

8) ประเภทวงจร เช่น วงจรขยายสัญญาณ วงจรฟิลเตอร์ วงจรความ RF ความถี่สูง วงจรพาวเวอร์ เป็นต้น ประเภทวงจรจะเป็นตัวกำหนดเลือกชนิดและคุณสมบัติของ C เช่น C ฟิลเตอร์ในวงจรเร็คติไฟร์ต้องเป็น C ทีทนกระแสริบเปิ้ลได้สูง ถ้าเป็นงานสวิตช์ชิ่งต้องเป็น C ที่มีค่า Low Impedance มีความสูญเสียต่ำที่ความถี่สูง เป็นต้น

9) ความปลอดภัย ถ้างานที่เน้นความปลอดภัยให้พิจารณาเลือกใช้ Aluminum Polymer Capacitor เป็นตัวเก็บประจุที่ซ๊อตแล้วไม่ระเบิด ไม่มีปัญหาเรืองน้ำยาอิเล็กทรอไลต์แห้งเนื่องจากใช้ Polymer เป็นไดอิเล็กทริก อายุการใช้งานนานกว่า C อะลูมินัมอิเล็กทรอไลต์คาปาซิเตอร์ สำหรับงานซ่อมวงจรไฟ AC จะมีคาปาซิเตอร์ชนิด X และชนิด Y ต้องใช้ตามชนิดเดิมที่เขาออกแบบไว้เพราะ C 2 ชนิดนี้มีการทำงานที่ต่างกันและเกี่ยวข้องกับความปลอดภัยทางไฟฟ้า ดูรูป C ชนิด X และ Y ใช้คำค้นใน Google ว่า " x and y safety capacitors " เพื่อดูลักษณะการต่อและความแตกต่างระหว่าง 2 ชนิดนี้

10) รูปแบบการติดตั้งและขนาดของ C ขนาดของ C ต้องใส่ได้พอดีกับรู PCB C มีขายาวจะระบุขนาดในรูปแบบ Dia x L ความโต ( Dia ) ความสูง (H) และระยะห่างระหว่างขา ส่วนคาปาซิเตอร์ SMD นิยมระบุขนาดเป็นเคสไชต์ ( Case Size ) ยาว x กว้าง x สูง โดยแต่ละผู้ผลิตอาจมีขนาดแตกต่างกันเล็กน้อยถ้ามีขนาด Case Size เหมือนกันก็จะใส่ได้พอดี

เช่น Case Size : ยาว x กว้าง x สูง(หนา)

0402 = 1.00mm x 0.50mm x 0.55mm

0603 = 1.60mm x 0.80mm x 0.87mm

0805 = 2.00mm x 1.25mm x1.45mm

1206 = 3.20mm x 1.60mm x 0.88mm

1210 = 3.20mm x 2.50mm x 2.70mm

1808 = 4.50mm x 2.03mmx 2.20mm

1812 = 4.50mm x 3.20mm x 2.00mm

1825 = 4.50mm x 6.40mm x 1.65mm

2220 = 5.70mm x 5.00mm x 1.55mm

20 เรื่องน่ารู้ การเทียบเบอร์ อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์

รวมไว้ที่นี้ > อ่านที่เว็บนี้

https://www.alternativeelecpn.com

การหาเบอร์แทนไดโอดและการเลือกใช้ไดโอดในการออกแบบวงจร (Diode)

หลักการหาเบอร์แทนไดโอด

หลักการหาเบอร์แทนไดโอดต้องพิจารณาคุณสมบัติหรือค่าทางไฟฟ้าอะไรบ้าง ? ให้ดูหัวข้อในตารางเพื่อทำเช็คลิลส์และดูการอธิบายคำศัพท์เพิ่มเติมด้านล่าง ใช้ตารางในการเลือกและกรองคุณสมบัติของไดโอด ค่าทางไฟฟ้าที่สำคัญอันดับแรกคือ ค่าแรงดัน ค่ากระแส ความเร็ว ( Speed ) และแรงดันตกคร่อม ( Vf) ถ้าเป็นไดโอดใช้งานกับสัญญาณขนาดเล็กค่าแรงดันตกคร่อมและความเร็วจะสำคัญมาก

ให้นำเบอร์ไดโอดตัวเก่าค้นหาค่าใน Datasheet และจดค่าที่สำคัญไว้ ค่าทางไฟฟ้าของไดโอดมีทั้งค่าพีค ( Peak ) ค่า RMS และค่าเฉลี่ย ( Average Value ) หลายครั้งมีการละหน่วยไว้ว่าเป็นค่าแบบไหนคนใช้งานต้องเช็คกับ Datasheet เอง ยกตัวอย่าง ไดโอดเบอร์ 1N4007 นิยมระบุสเปคสั้นๆว่า 1A 1000V แล้วค่า 1A หมายถึงค่ากระแสแบบไหน ? ค่าแรงดัน 1000V เป็นค่าแรงดันไฟฟ้าแบบไหน ? 1A เป็นค่าเฉลี่ยใน Datasheet จะใช้คำว่า Maximum average forward rectified current หรือ Average Rectified Output Current : IO ส่วนแรงดันไฟฟ้า 1000V เป็นค่าพีคซ้ำ ใน Datasheet จะใช้คำว่า Maximum repetitive peak reverse voltage ( VRRM ) ใช้แรงดันพัลซ์หลายลูกคลื่นทดสอบ ( ไดโอดชนิดพิเศษเช่น โฟโต้ไดโอด ทันเนลไดโอด TVS Diode และแบบอื่นๆ จะต้องพิจารณาค่าพิเศษอื่นๆด้วยขึ้นอยู่กับชนิดของไดโอด ซึ่งไม่ได้อธิบายไว้ที่นี้ )

-------------------------------------------------------------

เลือกหัวข้อต่อไปนี้ ................

1) ไดโอด (17) มี 17 เรื่อง

2) บทความเกี่ยวกับอะไหล่อิเล็กฯ (3)

3) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ (30) มี 30 เรื่อง

---------------------------------------------------------------

อธิบายเพิ่มเดิมเพื่อความเข้าใจมากขึ้น

ประเภทวงจรจะเป็นตัวกำหนดคุณสมบัติของไดโอด เมื่อเราทราบชื่อวงจร หลักการทำงาน บางครั้งสามารถสังเกตได้จากสเปคของอุปกรณ์ที่อยู่ใกล้เคียงจะเป็นตัวบ่งชี้ประเภทวงจรได้

- ประเภทการใช้งาน เช่น general purpose rectifier , Fast recovery rectifier , Ultra Fast recovery rectifier , Efficient Fast recovery rectifier , Low Vf rectification , High speed , Fast Switching , Low leakage , Small Signal , Power Diode , RF circuit เป็นต้น

- แรงดันย้อนกลับสูงสุด V ( PIV) : Peak Inverse Voltage เป็นแรงดันไบอัสกลับสูงสุดที่ไดโอดทนได้

- แรงดันย้อนกลับสูงสุดมีค่าพีคซ้ำ ( VRRM ) : Maximum repetitive peak reverse voltage เป็นแรงดันไบอัสกลับค่าพีคซ้ำที่ไดโอดทนได้ โดยแรงดันที่ใช้ทดสอบไดโอดนี้มีหลายลูกคลื่่นหรือค่าพีคซ้ำ

- ระดับความเร็ว ระบุหน่วยเป็น µs (micro sec) และ ns (nano sec ) ความเร็วมี ระดับ Standard , Fast , Hyper Fast , Ultra Fast , Super Fast

- Reverse Recovery Time ( trr ) เป็นระยะเวลาที่ไดโอดใช้ในการเปลี่ยนสถานะจาก ON เป็น OFF เปลี่ยนขั้วจากไบอัสตรงเป็นไบอัสกลับ ไดโอดไม่สามารถเปลี่ยนสถานะได้ทันที่ต้องใช้เวลาระดับ Micro second , nano second ในการเปลี่ยนสถานะอันเนื่องมาจากรอยต่อ PN มีพาหะข้างน้อยและอิเล็กตรอนต้องใช้เวลาในการเคลื่อนที่

20 เรื่องน่ารู้ การเทียบเบอร์ อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์

รวมไว้ที่นี้ > อ่านที่เว็บนี้

https://www.alternativeelecpn.com

หลักการเลือกใช้งานตัวต้านทานชนิดต่างๆสำหรับรออกแบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์และเลือกตัวต้านทานใช้แทนในงานซ่อม ( Resistor Selection )

หลักการเลือกใช้งานตัวต้านทาน

การเลือกใช้ R มีรายละเอียดหลายข้อที่ต้องพิจารณา ให้เช็คหัวข้อต่างๆด้านล่างว่าวงจรที่กำลังออกแบบหรือซ่อมอยู่ต้องการ R ที่มีคุณสมบัติอย่างไร ? รวบรวมหลักการเลือกใช้งานตัวต้านทานในภาคปฏิบัติสำหรับการออกแบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์และหาตัวต้านทานใช้แทนตัวต้านทานเก่าที่ไหม้หรือตัวต้านทานที่เสีย ในการออกแบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์จะเริ่มด้วยคำถามว่าใช้ตัวต้านทานชนิดไหนดี ? ส่วนงานซ่อมจะมีคำถามว่าตัวต้านทานตัวนี้ใช้แทนตัวต้านทานเก่าที่ไหม้ได้ไหม ? เพื่อตอบคำถามนี้จะต้องใช้หัวข้อต่างๆเป็นเช็คลิสเพื่อเลือกชนิดตัวต้านทานที่เหมาะสมกับวงจร เราทราบแล้วว่าตัวต้านทานมีหลายชนิดแต่ละชนิดมีข้อดีและข้อเสียแตกต่างกันดังนั้นตัวต้านทาน 1 ชนิดจึงไม่สามารถนำไปใช้ได้กับทุกวงจร สิ่งที่จะกำหนดหรือเลือกชนิดของตัวต้านทานคือประเภทของวงจรว่าต้องการ R ที่มีคุณสมบัติเป็นอย่างไรวงจรจึงจะทำงานได้ดีและมีความเสถียร รวมถึงการทำงานของวงจรมีความเชื่อถื่อได้ในระยะยาวตลอดอายุการใช้งานของอุปกรณ์นั้น ตัวต้านทานที่มีค่าเสถียรเป็นคุณสมบัติที่วงจรต้องการเพราะมีผลต่อการทำงานที่เชื่อถือได้ ความเชื่อถื่อได้ของวงจรคือทดสอบให้วงจรทำงาน 100 ครั้ง 1000 ครั้งหรือจำนวนมากกว่านี้วงจรต้องทำงานได้ดีเหมือนเดิมและถ้าพิจารณาในระยะยาว เช่น 2 ปี 3 ปี 5 ปี 10 ปี หรือนานกว่านั้นวงจรยังคงทำงานได้ปกติดีหรือไม่ ? บางวงจรความผิดพลาดไม่สามารถให้เกิดขึ้นได้เนื่องจากมีความเสียหายตามมา ถ้าวงจรทำงานผิดปกติจะเกิดผลเสียอะไรตามมา วงจรป้องกันมีการแจ้งเตือนหรือหยุดการทำงานของวงจรอย่างไรเพื่อความปลอดภัย นอกจากคุณสมบัติของ R แล้วยังมีเรื่องของราคาเข้ามาเกี่ยวข้องในการเลือก R เพราะปัจจุบันนี้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แข่งขันกันสูงและแข่งขันกันราคาถูก จึงไม่สามารถเลือกชนิดตัวต้านทานที่ดีที่สุดมาใส่ในวงจรแต่เป็นการเลือกตัวต้านทานที่มีคุณสมบัติดีพอสำหรับวงจรและราคาต้องไม่แพงด้วย การผลิตวงจรในจำนวน 1000 ชุด หลักหมื่นชุดหรือจำนวนมากกว่านี้ ราคาต้นทุนของอุปกรณ์มีผลอย่างมากในการเลือกเพื่อให้สินค้าที่ผลิตขายได้และแข่งขันกับผู้ผลิตรายอื่นๆได้

การวัดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ( ภาษาอังกฤษ )

Check electronic devices with multimeter ( English )

บทความภาษาอังกฤษ อ่านที่ > https://testmultimeter.com/

Read here > https://testmultimeter.com/

ให้เช็คหัวข้อต่างๆต่อไปนี้ว่าวงจรที่ออกแบบหรือซ่อมอยู่ต้องการ R ที่มีคุณสมบัติอะไรบ้าง ?

1) สัญญาณรบกวน ( Noise ) วงจรที่ไวต่อสัญญาณรบกวนเช่น วงจรขยายที่มีอัตราขยายสูง ( สัญญาณรบกวนจะถูกขยายไปด้วย) วงจรระบบสื่อสาร วงจรขยายสัญญาณขนาดเล็ก ( Low level signal) เป็นต้น วงจรเหล่านี้ต้องใช้ R ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ ตัวต้านทานที่กำเนิดสัญญาณรบกวนต่ำเรียงจากดีมากไปน้อยเรียงเป็นลำดับคือ ตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์ ตัวต้านทานชนิด Metal Foil และตัวต้านทานชนิด Thin Film ส่วนตัวต้านทานที่มีสัญญาณรบกวนสูงคือตัวต้านทานชนิดผงคาร์บอน ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนฟิล์ม และตัวต้านทานชนิด Thick Film รวมถึงตัวต้านทานชนิด Metal Oxide Film ก็มีสัญญาณรบกวนสูงกว่าชนิดเมตัลฟิล์ม การติดตั้งอุปกรณ์ก็มีผลต่อสัญญาณรบกวน ควรวางตำเหน่ง R ให้ห่างจากแหล่งความร้อนเพื่อลดสัญญาณรบกวนชนิด Thermal Noise เนื่องจากยิ่งอุณหภูมิเพิ่มขึ้น สัญญาณรบกวนชนิด Thermal Noise จะสูงตามไปด้วย

2) ความถี่และการตอบสนองความถี่ ตัวต้านทานในโลกแห่งความเป็นจริงจะไม่ใช่ตัวต้านทานที่มีเฉพาะความต้านทานล้วนๆ ( Pure Resistance ) แต่จะมีตัวเหนี่ยวนำแฝงและตัวเก็บประจุแฝงในตัว R ด้วย ยกตัวอย่างให้เห็นภาพตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์ส่วนขาที่เป็นเส้นลวดและขดลวดที่ขดจะก่อตัวเป็นตัวเหนี่ยวนำ และตัวนำ 2 ตัวหรือมากกว่าที่วางไว้ใกล้กันจะก่อตัวเป็นตัวเก็บประจุ วงจรไฟ DC จะไม่ได้รับผลกระทบแต่วงจรความถี่สูงและวงจรสัญญาณพัลส์จะได้รับผลกระทบ ทำให้รูปคลื่นเพี้ยน เกิดการหน่วงของสัญญาณและเกิดการสูญเสียที่ความถี่สูงตามสมการ XL = 2πFL ยิ่งความถี่สูงยิ่งเกิดการสูญเสีย ตัวต้านทานชนิดเมตัลฟิล์มสามารถใช้กับความถี่สูงได้ถึง 100MHz ขณะที่ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนฟิล์ม ตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์มาตรฐาน และตัวต้านทานชนิด Foil ใช้งานกับความถี่สูงไม่ได้เนื่องจากมี Equivalent series Inductance (ESL) มีค่าสูงระดับ uH ส่วนตัวต้านทานชนิด Metal Oxide มีค่าระดับ nH และชนิดเมตัลฟิล์มมีค่าน้อยกว่า 2nH ซึ่งชนิดเมตัลฟิล์มนี้ใช้กับความถี่สูงได้ 100MhZ ตัวต้านทานไวร์วาวด์มาตรฐานใช้กับความถี่ได้สูงสุดแค่ประมาณ 50KHZ ถ้าต้องการใช้งานที่ความถี่สูงกว่านี้ต้องใช้ตัวต้านทานไวร์วาวด์ชนิด NON-Inductive และ Low Reactance ซึ่งจะใช้เทคนิคการผลิต /พันเส้นลวดเพื่อให้มีค่า ESL และค่าตัวเก็บประจุแฝง ( Parasitic Capacitance : Cp) ต่ำ วงจรความถี่สูงและวงจร High speed / Response Time ต้องพิจารณาเลือกใช้ R ที่สูญเสียน้อยที่สุดและตอบสนองรูปคลื่นสัญญาณไม่เพี้ยน

3) แรงดัน ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ส่วนใหญ่จะใช้ไฟมาตรฐาน 5VDC 9VDC 12VDC 24VDC ค่าทนแรงดันไฟฟ้าจึงไม่ได้พิจารณามากนักเนื่องจากแรงดันในวงจรยังห่างมากจากแรงดันที่ R ทนได้ ส่วนใหญ่ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์จะพิจารณาค่าความต้านทานและกำลังไฟฟ้าหรือวัตต์ของ R เป็นหลัก กรณีเป็นไฟ AC วงจร Line Protection และแรงดันไฟสูงต้องพิจารณาแรงดันไฟฟ้าด้วยเนื่องจากตัวต้านทานมีค่าแรงดันสูงสุดที่ทนได้ เช่น ค่า Max. working Voltage , ค่า Max. Overload Volage และค่า Dielectric withstand Voltage ยกตัวอย่างค่าแรงดัน Max. working Voltage ของตัวต้านทานชนิดเมตัลฟิล์ม ขนาด 0.25W = 200V , 0.5W = 250V , 1W = 500V เป็นต้น

จะสังเกตว่าขนาดของ R และแรงดันไฟฟ้าที่ทนได้จะมีความสัมพันธ์กัน ( ทำนองเดียวกันกับค่าวัตต์ R ตัวใหญ่วัตต์จะสูง) วงจรส่วนที่เป็นไฟ AC ต้องพิจารณาค่าแรงดันไฟฟ้าที่ R ทนได้ด้วยเพื่อให้อายุการใช้งานของ R ยาวนาน จากเอกสารของผู้ผลิตตัวต้านทานพบว่าค่าแรงดันต่างๆของ R แต่ละชนิดจะมีค่าไม่เท่ากัน ตัวต้านทานชนิดเมตัลฟิล์มและคาร์บอนฟิล์มมีค่าแรงดันทีทนได้ไม่ต่างกันมากนัก ค่าแรงดันเหล่านี้เช็คได้จาก Datasheet ของ R ปกติแล้วตัวต้านทานชนิดทนความร้อน ( Metal oxide Film )และตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์จะมีค่าพิกัดทนแรงดันถึง ระดับ KV และตัวต้านทานชนิด Thick Film ทนแรงดัน AC ได้ดีจึงนิยมใช้กับวงจรที่เป็นไฟ AC ส่วนตัวต้านทานชนิด Thin Film ไม่เหมาะกับวงจรไฟ AC

เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น พิกัดกำลังไฟฟ้าจะลดลง

4) กำลังไฟฟ้าหรือวัตต์ วัตต์ของตัวต้านทานที่ระบุไว้เช่น ค่า 1W มีความหมายว่าที่อุณหภูมิทดสอบ 25 °C ตัวต้านทานนั้นจะมีค่า 1W

เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้นค่าวัตต์นี้จะลดลง ที่อุณหภูมิประมาณ 70 °C ค่าวัตต์จะเริ่มลดลง และที่ 100 °C ค่าวัตต์นี้จะลดลงมากเหลือแค่ประมาณ 0.6 วัตต์ หลักในการเลือกกำลังไฟฟ้าหรือวัตต์ของ R คือเลือกให้สูงกว่าค่าที่คำนวณได้เพื่อยืดอายุการใช้งานของ R เช่นค่า 1W จะใช้งานจริงแค่ 60-70 % หรือ 0.6W-0.7W ห้ามใช้ค่าเกิน 80% เพราะทำให้อายุใช้งานของ R สั้นหรือเสียเร็ว อันเนื่องจากอิทธิพลของอุณหภูมิและแรงดัน ( Voltage Stress ) อธิบายเพิ่มเติม ตามคำนวณต้องใช้ R 1 วัตต์ในการเลือกใช้จริงให้ใช้ค่า 1.5W หรือ 2W ( 1.5W x 60% = 0.9W )

ใน Datasheet ของ R จะใช้คำว่า Power Derating แปลว่าการลดพิกัดกำลังไฟฟ้าเมื่ออุณภูมิสูงขึ้น

5) ค่าความต้านทาน หาได้จากการคำนวณตามกฏของโอห์ม R = V/I อย่าลืมว่าค่าความต้านทานสูงๆจะกำเนิดสัญญาณรบกวนมากกว่าค่าความต้านทานต่ำ ให้พิจารณความเสถียรของค่าความต้านทานนี้ด้วยว่าใน 1 ปี 3 ปี 5 ปี 10 ปี ค่า R จะเปลี่ยนไปจากค่าเดิมมากแค่ไหนและการเปลี่ยนแปลงความต้านทานนี้ทำให้วงจรทำงานผิดปกติหรือไม่ วงจรที่เน้นความความน่าเชื่อถือสูงและความผิดพลาดยอมรับไม่ได้ ต้องเลือก R ชนิดที่มีค่าเสถียรในระยะยาว เช่น ตัวต้านทานชนิดเมตัลฟิล์มเที่ยงตรงสูง ( Precision metal Film resistor) , ตัวต้านทานไวร์วาวด์เที่ยงตรงสูง (มีค่าคลาดเคลื่อนน้อยระดับ 0.1% 0.25% 0.5% ) เป็นต้น

ุ6) % คลาดเคลื่อน ค่า % คลาดเคลื่อนของ R มีหลายระดับ ±0.1% ±0.25% ±0.5% ±1% ±5% ±10% และ ±20% วงจรที่เน้นค่าไฟต้องนิ่งและตรง เช่น วงจร Feedback วงจรป้องกัน วงจรเครื่องมือวัด วงจรกำหนดเวลาและความถี่ เป็นต้นต้องใช้ 0.1% 0.25% 0.5% 1% คนออกแบบวงจรเป็นคนเลือกระดับคลาดเคลื่อนที่ยอมรับได้ว่าไม่เกินกี่ %

7) อุณหภูมิ อุณหภูมิทำให้ค่าความต้านทานเปลี่ยนไป ค่า R จะเปลี่ยนไปมากแค่ไหนขึ้นอยู่กับชนิดของวัสดุที่ใช้ทำ R ความสัมพันธ์ระหว่างค่าความต้านทานที่เปลี่ยนไปเมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนไปนิยมระบุเป็น ppm / °C โดย ppm = part per million ค่านี้มีผลต่อความเสถียรของวงจรในระยะยาว ต้องพิจารณาตลอดอายุการใช้งานของอุปกรณ์ว่าอุณหภูมิทำให้ค่า R เปลี่ยนไปมากแค่ไหนและค่าเท่าไหร่ที่ยอมรับได้ ค่า ppm / °C นี้ยิ่งน้อยยิ่งดี เช่น ±10ppm/°C ±15ppm/°C ±50ppm/°C ±100ppm/°C ±200ppm/°C ±300ppm/°C ±350ppm/°C เป็นต้น เมื่อกระแสไหลผ่านตัวต้านทานจะเกิดความสูญเสียและเกิดความร้อนที่ตัวต้านทาน อุณหภูมิที่แวดล้อมตัวต้านทานมีผลต่อการระบายถ่ายเทความร้อนของ R อีกประเด็นเรื่องอุณหภูมิที่เกี่ยวข้องกับ R คือค่าอุณหภูมิสูงสุดที่ R ทนได้ การใช้งานต้องไม่เกินค่าสูงสุดนี้ ตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์และตัวต้านทานชนิด Metal Oxide จะทนความร้อนได้สูงประมาณ 350-450°C ( ขนาดเล็ก 155 °C ) ตัวต้านทานชนิดเมตัลฟิล์มประมาณ 230°C-300°C หรือบางผู้ผลิต 125°C หรือ 155°C ขึ้นอยู่กับผู้ผลิต ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนฟิล์มประมาณ 155°C วงจรที่มีความร้อนจะใช้ตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์และตัวต้านทานชนิด Metal Oxide ตัวต้านทานชนิด Metal Oxide ( นิยมเรียกในตลาดว่าตัวต้านทานทนความร้อน) ซึ่งนิยมใช้งานแทนตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์เนื่องจากเมื่อเทียบราคาต่อวัตต์แล้วมีราคาถูกกว่าเนื่องจากกระบวนการผลิตเป็นแบบฟิล์มซึ่งง่ายกว่าการผลิตแบบไวร์วาวด์

8) สภาพแวดล้อมของวงจร อุณหภูมิ ความชื้นและพื้นที่ครอบปิดมีผลต่อการระบายความร้อน สิ่งเหล่านี้ต้องนำมาพิจารณาเพราะมีผลต่อการทำงานของ R ตัวต้านทานชนิดผงคาร์บอนจะไวต่อความชื้นคือมันดูดซับความซื้น ตัวต้านทานหลายชนิดหุ้มปิดอย่างดีเพื่อป้องกันชิ้นส่วนด้านในที่เป็นวัสดุกำหนดความต้านทาน ต้องพิจารณาว่าสภาพแวดล้อมการใช้งานอะไรที่มีผลต่อค่า R มาก จากนั้นหาทางป้องกันไว้ก่อนตั้งแต่ออกแบบวงจร

9) เหมาะกับวงจรพัลซ์หรือไม่ ? กรณีใช้ R กับไฟ รูปคลื่นพัลซ์ ( Repetive Pulse) การคำนวณปริมาณพลังงานความร้อนและกำลังไฟฟ้าต้องได้รับการคำนวณเพื่อให้ไม่เกินค่าที่ R ทนได้ พลังงานจากวงจรพัลซ์จะมากกว่าพลังงานของวงจรทั่วไป ปกติแล้วตัวต้านทานชนิดผงคาร์บอนและคาร์บอนฟิล์มจะทนพลังงานรูปคลื่นพัลซ์ได้ดีกว่าตัวต้านทานชนิดเมตัลฟิล์ม และตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์และ Metal Oxide ( ตัวต้านทานทนความร้อน) ทนพลังงานพัลซ์ได้ดีจึงนิยมใช้กับพัลซ์ ต้องพิจารณาลักษณะกระแสและแรงดันว่าเป็นพัลซ์หรือไม่ ? เลือก R ที่มีคุณสมบัติเหมาะกับวงจรพัลซ์ปกติจะระบุคุณสมบัติของ R ไว้ใน Datasheet ว่าเหมาะกับพัลซ์

10 ) ข้อกำหนดอื่นๆตามมาตรฐานกำหนดไว้ หรือคนใช้งานต้องการเป็นพิเศษ หลังจากพิจารณาตามหลักการเลือกตัวต้านทานทั่วไปแล้ว บางครั้งยังมีข้อกำหนดอื่นๆเพิ่ม เช่น ตัวต้านทานเมื่อร้อนสุดๆต้องไม่ลุกเป็นเปลวไฟหรือลามไฟ ( ปกติคุณบัตินี้ระบุไว้ใน Datasheet ) ความแข็งแรงทางกลของ R หลักการเกี่ยวกับความปลอดภัย Fail Safe เมื่อวงจรทำงานผิดปกติต้องไม่มีอันตรายใดๆต่ออุปกรณ์และคนใช้งาน หลักการเกียวกับ EMI การก่อสัญญาณรบกวนและการทนสัญญาณรบกวน ทน ESD ได้ เป็นต้น

20 เรื่องน่ารู้ การเทียบเบอร์ อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์

รวมไว้ที่นี้ > อ่านที่เว็บนี้

https://www.alternativeelecpn.com

เรียนรู้เบอร์อะไหล่ เพื่อสังเกตว่าเบอร์ขึ้นต้นแบบนี้เป็นอุปกรณ์ชนิดอะไร ?

เลือก ดูรายการต่อไปนี้

ไดโอด (17)

บทความเกี่ยวกับอะไหล่อิเล็กฯ (3)

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ (30)